【作者】 刘显强； 韩晓东； 张泽； 季凌飞； 蒋毅坚；

【Author】 Liu Xianqiang Han Xiaodong Zhang Ze Ji Lingfei Jiang Yijian ( Microstructure and Property Research Institute, Beijing Universityof Technology, Beijing, 100022 )( National Center of Laser Technology, Beijing University of Technology, Beijing, 100022)

【机构】 北京工业大学固体微结构与性能研究所； 北京工业大学激光学院；

【摘要】 半导体工业致力于在单位面积/体积上铺满更多的结构以期得到更高密度、更快运算速度的光电子元器件,而高介电系数物质可满足上述目的。Ta2O5系氧化物是重要的高介电系数物质候选材料之一。本研究用电子显微学的方法研究了激光法合成的高介电系数陶瓷Ta2O5-TiO2晶体点阵结构:a=0.391 nm,b=0.384 nm,c=1.863 nm,α-83.8°,β=95.9°,γ=88.5°。这种结构沿[110]方向在(110)面调制,调制周期为:2.48 nm。本研究认为:这种调制结构正是导致Ta2O5-TiO2陶瓷介电系数大幅度提高的原因。更多还原

【Abstract】 As a promising non-silicon oxide dielectric for practical application in the micro-electric industry, Ta2O5 system has been kept in attention in the past few years. The crystal structure related to the huge increment of dielectric permittivity in a Ta2O5-TiO2 system has been studied by transmission electron microscope (TEM) and a new triclinic structure is found in the laser-irradiation Ta2O5 and Ta2O5-TiO2 system.更多还原