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用RBS/Channeling和XRD方法研究Mg~+注入GaN的辐照损伤
【机构】 北京大学物理学院技术物理系； Instituut Voor Kern-en Stralingsfysica,Katholieke Universiteit Leuven,Belgium B-3001,；
【摘要】 <正>新型光电材料GaN的p型掺杂是困惑材料生长者的极重要的问题,比较适用的掺杂元素为Ⅱ族的Be、Mg、Ca等,其中Mg的激活能最低,为170meV(其它元素均在230meV以上),所以实验中选取Mg+作为掺杂改性,同时研究注入引起的损伤。本实验采用研究损伤最直观有效的方法:卢瑟福背散射胸道(RBS/Channeling)分析和X射线衍射(XRD)
【基金】 国家科学自然基金项目:项目编号为10375004;中比双边科技合作项目:项目编号为BIL02/02
- 【会议录名称】 2004年中国材料研讨会论文摘要集
- 【会议名称】2004年中国材料研讨会
- 【会议时间】2004-11
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TB34
- 【主办单位】中国材料研究学会