慢正电子谱在自组装纳米多层膜研究中的应用

【作者】 郝维昌； 王天民； 周春兰； 魏龙；

【机构】 北京航空航天大学材料物理与化学研究中心； 中国科学院高能物理研究所核分析开放实验室；

【摘要】 <正>正电子湮没是一项利用正电子与物质的相互作用来获得凝聚态物质的微观结构、电子动量分布及缺陷状态的实验技术。由于正电子对原子尺度上的缺陷,如空位、位错、微空洞等非常敏感,使得正电子成为微缺陷研究的灵敏探针。正电子湮没技术已经在固体物理、化学、医学、材料学等领域取得了广泛的应用。正电子湮没技术主要有寿命谱测量、多普勒展宽谱测量、角关联测量三种实验方法。能量连续可调的慢正电子束,通过改变其注入能量可注入到固体的不同深度。正电子在固体中的湮没特性与其湮没时周围的环境密切相关,这样通过测量不同深度的正电子湮没的γ光子的能谱或寿命,就可以得到不同深度的微观结构的特征及分布,这为薄膜体系的分析提供了有力的工具。静电自组装是由G Decher研究小组首先发展起来一项新的自组装技术,这项技术的基本原理就是更多还原