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沉积于硅基片上的非晶碳膜中的电输运特性
【机构】 清华大学材料科学与工程系；
【摘要】 <正>利用PLD方法,在不同温度的Si基片上制备了非晶碳膜。结果表明:沉积温度对非晶碳膜的微结构,电输运特性等具有重要影响。27℃条件下沉积的非晶碳膜具有明显的电压诱导开关特性。并且其开关电压随温度的升高而逐渐减小。而300和500℃条件下沉积的非晶碳膜却具有完全不同的电输运规律。对300℃条件下沉积的非晶碳膜,当测量温度低于190 K时电流随外加电压的增加而线形增加;
- 【会议录名称】 2004年中国材料研讨会论文摘要集
- 【会议名称】2004年中国材料研讨会
- 【会议时间】2004-11
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国材料研究学会