气离溅射(GIMS)镀制氮化钛膜层

【作者】 董骐； 罗蓉平； 张守忠； 杜建； 钟钢； 田凯； 刘祥武； 文学春；

【机构】 北京丹普表面技术有限公司；

【摘要】 <正>本文详细介绍了气体离子源增强反应磁控溅射(气离溅射Gas Ion source enhanced MagnetronSputtering-GIMS)镀制TiN膜层的有关设备配置和技术路线。特别是首次提出了空分气离溅射(Separate GIMS——SGIMS)技术,从机理上实现了金属镀钛过程和气体氮化过程在空间上的分离。从而使镀膜过程的可控窗口展宽,保证了自动镀膜过程的控制稳定性、重复性利一致性。当磁控溅射采用的中频电源利气体离子源采用的直流电源都采用恒功率设定后,可以镀制出高品质的TiN膜层,同时也相应地降低了对真空室温度的依赖。更多还原