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双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管器件中的应用
【机构】 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室； 中国科学院物理研究所先进材料与结构分析电镜实验室；
【摘要】 利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al-O势垒层由等离子体氧化1 nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用深紫外光曝光和Ar离子刻蚀技术、微加工制备出长短轴分别为12和6微米大小的椭圆形双势垒磁性隧道结(DBMTJ),并在室温和低温下对其自旋电子输运特性进行了研究。双势垒磁性隧道结的隧穿磁电阻(TMR)比值在室温和4.2 K分别达到27%和42.2%,结电阻分别为13.6 kΩ·μm2和17.5 kΩ·μm2,并在实验中首次观察到TMR值随外加偏压增加而发生振荡的现象(即共振隧穿效应)。由此,我们设计了一种基于这种双势垒磁性隧道结共振隧穿效应的自旋晶体管。
【关键词】 磁性双势垒隧道结(DBMTJ)；
隧穿磁电阻(TMR)；
共振隧穿效应；
自旋晶体管；
- 【会议录名称】 2004年中国材料研讨会论文摘要集
- 【会议名称】2004年中国材料研讨会
- 【会议时间】2004-11
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TN32
- 【主办单位】中国材料研究学会