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Fex-C1-x/Si膜的巨磁阻和电输运性能
【机构】 中国北京清华大学材料科学与工程系；
【摘要】 <正>我们发明了一类新型磁阻材料:沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si,它们在低温下有较小的负磁阻,而随着温度的升高,在温度约为260K时磁阻由负变正,并随温度的升高其磁阻数值快速增加。在室温时磁场为1T时正磁阻可以达到50%左右,当温度达到320K左右时,正磁阻数值达到最大,然后随温度的升高而快速减小(图a)。并且在不同的温度范围中,磁阻和外加磁场的
- 【会议录名称】 2004年中国材料研讨会论文摘要集
- 【会议名称】2004年中国材料研讨会
- 【会议时间】2004-11
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TB39
- 【主办单位】中国材料研究学会