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通过顶角氧掺杂高温高压合成0201-C1高温超导体

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【作者】 刘清青李凤英靳常青

【机构】 中科院物理所极端条件实验室

【摘要】 <正>高温超导体在晶体结构上属钙钛矿类。它主要由含[CuO2]平面的超导载流子层和电荷库层两部分构成。它们在结构上有一个共同的特征,即电荷库区均含有“顶角氧”,对项角氧的研究是高温超导体物性和结构关联研究的一个重要内容。卤氧化合物材料提供了一个理想的体系,即利用二价氧去部分的替代一价氯,产生空穴型载流子。Jin等人【1】利用高温高压合成的方法首次实现了P-型超导体的顶角氧掺杂,在含双层[CuO2]平面的化合物中得到80K的超导转变。它为研究高温超导体的顶角氧问题提供了新的思路。同时对只含有一层[CuO2]平面的0201型卤铜氧化合物,如图1,由于卤素原子的半径较氧的大导致该结构的[CuO2]平面导电层与电荷库层的耦合减弱,形成具有准二维的[CuO2]平面,是

  • 【会议录名称】 2004年中国材料研讨会论文摘要集
  • 【会议名称】2004年中国材料研讨会
  • 【会议时间】2004-11
  • 【会议地点】中国北京
  • 【分类号】TM26
  • 【主办单位】中国材料研究学会
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