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n型多孔硅上生长纳米Zn2SiO4:Mn及其荧光特性
【机构】 山东师范大学半导体研究所； 山东师范大学化学化工与材料科学学院；
【摘要】 采用化学合成法在n型多孔硅上合成了纳米Zn2SiO4:Mn颗粒,实验中采用Zn(NO3)2作锌源,以Mn(NO3)2作掺杂剂。实验研究了Zn2SiO4的荧光特性随退火温度、Zn(NO3)2浓度、掺杂剂的浓度等因素的变化规律以及退火过程中可能发生的化学反应,并用X射线衍射法测定了样品的成分。实验发现只要选择合适的Zn(NO3)2浓度、掺杂剂的浓度以及退火时间可以在800-1000℃的温度范围内得到黄光和绿光样品,当温度在1100℃及其以上时容易得到绿光样品而很难得到黄光样品,在700℃及其以下未得到任何发光样品(荧光激发波长均为254nm)。
- 【会议录名称】 2004年中国材料研讨会论文摘要集
- 【会议名称】2004年中国材料研讨会
- 【会议时间】2004-11
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国材料研究学会