采用PVD方法(无催化剂)在ZnO(001)薄膜上制备整齐排列的ZnO纳米线

【作者】 王立晟； 章晓中； 周岳亮； 齐俊杰； 周国元；

【机构】 中国北京清华大学材料科学与工程系电子显微镜实验室； 中国科学院物理研究所；

【摘要】 <正>本实验采用简单物理气相沉积(PVD)的方法在ZnO(001)取向薄膜衬底上制备出整齐排列的ZnO纳米线阵列(图1),与已有的报道不同,该方法不含任何催化剂或者添加剂。制备得到的ZnO纳米线粗细均匀,具有两种典型直径:60nm(大部分)以及120nm(小部分),其中后者可以看成前者的复合生长的结果。纳米线的长度大约在4μm,并且沿着垂直于衬底的方向整齐排列生长,均匀致密地覆盖整个更多还原