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MOCVD法制备高定向ZnO晶须
【机构】 北京航空航天大学材料学院；
【摘要】 ZnO是一种具有优良的压电、光电、透明导电、气敏、压敏等性质的材料。采用大气开放式的MOCVD技术,在不需要真空的条件下以Zn（C5H7O2）2为原料在玻璃基片上制备出了高密布高定向的ZnO晶须。使用扫描电子显微镜对晶须形貌进行观察发现,晶须呈现出高密度规则排列,生长密度约为1.3×106根/mm2,并且垂直于基片向上生长。单根晶须直径为1～3μm,横截面为六角形。采用X射线衍射仪进行了物相分析和晶须取向的研究,确定该晶须为六方纤锌矿结构ZnO,垂直基片沿c轴定向生长,测得的衍射峰半高宽FWHM只有0.24°。
【基金】 国家自然科学基金资助项目(原位制备微型1-3结构智能复合材料的研究),资助号50172002。
- 【会议录名称】 2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2002年中国材料研讨会
- 【会议时间】2002-10
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】O784
- 【主办单位】中国材料研究学会