蓝宝石(0001)衬底上p-3C-SiC欧姆接触的研究

【作者】 孙艳玲； 孙国胜； 刘肃； 王雷； 赵万顺； 罗木昌； 曾一平； 林兰英；

【机构】 中国科学院半导体研究所； 兰州大学；

【摘要】 本文报道了在p-3C-SiC外延膜上分别用Al和AuGeNi形成欧姆接触的结构和电学特性。采用原位硼烷（B₂H₆）掺杂技术在蓝宝石（0001）衬底上用LPCVD方法生长p-3C-SiC外延膜。Hall测量其载流子浓度分别为P=1.33×10¹⁷cm^-3和P=4.52×10¹⁶cm^-3。将制得的样品分别在450℃,600℃和710℃下退火。用TLM方法测量其特征电阻,测得Al/p-3C-SiC欧姆接触在710℃退火之后的特征电阻率为ρ_c=0.02Ω·cm²(P=1.33×10¹⁷cm^-3,同样测得AuGeNi/p-3C-SiC的特征电阻率为ρ_c=0.035Ω·cm²(P=4.52×10¹⁶cm^-3。更多还原