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第一原理研究空位和Si与Al的∑5(210)[001]晶界的相互作用
【机构】 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室；
【摘要】 在密度泛函理论框架下,用第一原理赝势方法,在Rice-Wang模型下研究了空位和杂质元素Si与Al的∑5（210）[001]晶界的相互作用。通过计算给出了偏析元素Si在晶界面上的位置。通过对含有空位的晶界模型计算给出了空位的稳定位置。同时通过对偏析元素在界面和表面的偏聚能△Egb和△Es的计算,表明偏析元素Si对于Al∑5（210）[001]的晶界是一种直接致脆元素。
【基金】 国家“973”重大基础研究项目G2000067104资助。
- 【会议录名称】 2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2002年中国材料研讨会
- 【会议时间】2002-10
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】O77
- 【主办单位】中国材料研究学会