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(AlP)_n/(AlN)_n及(AlAs)_n/(AlN)_n应变短周期超晶格的第一性原理计算
【机构】 厦门大学物理系；
【摘要】 我们使用基于混合基表示的第一原理赝势法研究了(AIP)_n/(AIN)_n和(AIAs)_n/(AIN)_n(n=1～5)应变短周期超晶格材料。其中假设(AIP)_n/(AIN)_n短周期超晶格材料外延生长在GaAS的(001)面上,而(AIAs)_n/(AIN)_n短周期超晶格材料外延生长在AIAs的(001)面上。通过计算发现,这两种超晶格材料,对所有的n,在Γ点都出现直接带隙。
【基金】 国家自然科学基金(批准号:10274046和60077029)。
- 【会议录名称】 2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2002年中国材料研讨会
- 【会议时间】2002-10
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】O76
- 【主办单位】中国材料研究学会