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Ga,B元素的分凝特性与负阻效应
【机构】 山东师范大学半导体研究所；
【摘要】 Ga,B扩散制得高反压晶体管普遍存有负阻现象,而Ga基区晶体管负阻较为明显;本文借助二次离子质谱（SIMS）和扩展电阻（SRP）分析方法,对Ga,B元素在SiO2-Si界面中的分凝特性进行研究,发现负阻效应的存在及其大小与P型杂质的分凝特性有关,并找到了改善器件负阻效应的有效措施。
【基金】 国家自然科学基金(69976019);山东省自然科学基金(Y99G01)联合资助。
- 【会议录名称】 2002年材料科学与工程新进展（上）——2002年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2002年中国材料研讨会
- 【会议时间】2002-10
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】O614
- 【主办单位】中国材料研究学会