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氧化锌纳米线的制备及表征
【机构】 清华大学材料科学与工程系；
【摘要】 我们采用了直接物理蒸发法制备了直径在50nm以下,在毫米大小区域内均匀分布的高纯度的ZnO纳米线膜层。所得ZnO纳米线大部分沿[0001]方向生长。我们研究了各实验参数对产物的影响,提出了分三步进行的VS生长机制。并应用类似方法制得了金属In纳米线,说明在该VS生长机制中,氧(或氧化物)的存在对纳米线的生长不是必须的。
- 【会议录名称】 2002年材料科学与工程新进展（上）——2002年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2002年中国材料研讨会
- 【会议时间】2002-10
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国材料研究学会