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氨化磁控溅射Ga2O3膜在Si（111）衬底上制备GaN纳米棒
【作者】 杨利； 庄惠照； 魏芹芹； 孙振翠； 郭兴龙； 董志华； 高海永； 薛成山；
【机构】 山东师范大学半导体研究所化学功能材料实验室；
【摘要】 通过氨化射频溅射工艺生长的Ga2O3薄膜,在Si（111）衬底上成功地制备出了GaN纳米棒。用场发射扫描电镜（FE-SEM）、X射线衍射（XRD）和透射电镜（TEM）对样品的形貌、组分和结构进行了分析。生成的GaN纳米棒尺寸比较均匀,其直径为80～200nm,长1.5μm左右;纳米棒为六方纤锌矿结构,呈单晶相。这是首次报道,在没有催化剂和空间限制的作用下,由GaO3薄膜和NH3直接反应生长GaN纳米棒。
【基金】 国家自然科学基金(90201025);国家自然科学基金(60071006)。
- 【会议录名称】 2002年材料科学与工程新进展（上）——2002年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2002年中国材料研讨会
- 【会议时间】2002-10
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国材料研究学会