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纳米碳化硅(SiC)薄膜结构与溅射参数的关系
【作者】 王玫； 黄安平； 张德学； 宋雪梅； 王波； 严辉； 廖波；
【机构】 新型功能材料教育部重点实验室； 北京理工大学电子工程系；
【摘要】 本实验采用射频磁控溅射方法,在高阻单晶Si(100)衬底上制备出了纳米SiC薄膜。采用高分辨原子力显微镜(AFM),观察到在合适条件下沉积的SiC薄膜是由纳米尺寸的SiC晶粒构成,这与红外光谱(FTIR)的结果相吻合。改变沉积工艺参数,可以得到具有不同纳米结构的SiC薄膜。
【基金】 北京市自然科学基金(2992002);教育部优秀青年教师资助项目
- 【会议录名称】 纳米材料和技术应用进展——全国第二届纳米材料和技术应用会议论文集（下卷）
- 【会议名称】全国第二届纳米材料和技术应用会议
- 【会议时间】2001
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国材料研究学会