节点文献
硅纳米线的显微结构及生长机理研究
【作者】 张泽；
【机构】 中国科学院物理研究所；
【摘要】 利用扫描和透射电子显微学方法,分别研究了镀金和抛光硅衬底上生成的不同形态纳米硅线。在汽-液-固三相转变生长机制（VLS）的热力学理论分析基础上,揭示了镀金硅衬底上的纳米线,与生长初期衬底表面上形成的Au-Si液滴有关,液滴中Si过饱合度与纳米硅线直径尺寸成反比关系,与成核密度成正比。抛光硅表面沉积的硅纳米线,可用非晶态SiOx颗粒在高温下Si与SiO2的相分离生长机理解释。
- 【会议录名称】 纳米材料和技术应用进展——全国第二届纳米材料和技术应用会议论文集（上卷）
- 【会议名称】全国第二届纳米材料和技术应用会议
- 【会议时间】2001
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国材料研究学会