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沉积衬底温度对PtSi/Si异质薄膜生长及表面形貌的影响

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【作者】 殷景华蔡伟李美成郑玉峰王中王培林赵连城

【机构】 哈尔滨理工大学应用科学学院哈尔滨工业大学材料科学与工程学院

【摘要】 利用X射线光电子谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)等测试技术研究了Pt膜沉积到p-Si衬底上,衬底温度对PtSi/Si异质薄膜生长的影响。结果表明,衬底不加热,薄膜表面粗糙且存在未反应Pt原子和PtSi,Pt2Si混合相层;衬底加热到300℃,退火后,形成单一、均匀、连续、平坦的PtSi薄膜。因此,衬底加热有利于提高PtSi薄膜质量。

【关键词】 Ptsi薄膜衬底温度PtSi相分布表面形貌
  • 【会议录名称】 2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研讨会论文集
  • 【会议名称】2000年中国材料研讨会
  • 【会议时间】2000
  • 【分类号】TN304
  • 【主办单位】中国材料研究学会
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