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区熔(氢)硅片为基底的多孔硅的光致荧光特性

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【作者】 李怀祥贺月娇郭成花薛成山刘桂荣陈燕生段淑贞

【机构】 山东师范大学半导体研究所北京科技大学理化系

【摘要】 本文以氢区熔单晶硅为基础,通过中子辐照和两步退火热处理,得到了具有20~40μm表面完整层的吸除硅片,并对该种吸除硅片进行了红外光谱和X光电子能谱分析。在吸除硅片的基础上恒电流阳极氧化制得的多孔硅,室温下光致橙色荧光发光稳定;对多孔硅进行不同的表面修饰,可以分别得到绿、红等不同颜色的光致荧光。

【关键词】 表面完整层多孔硅光致荧光表面修饰
【基金】 国家自然科学基金;山东省自然科学基金[批准号:69890221;69971014;Y98G03099]
  • 【会议录名称】 2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研讨会论文集
  • 【会议名称】2000年中国材料研讨会
  • 【会议时间】2000
  • 【分类号】TN304
  • 【主办单位】中国材料研究学会
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