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单晶硅中与氢有关的红外吸收光谱分析
【作者】 王启元； 林兰英； 王建华； 邓惠芳； 蔡田海； 郁元桓；
【机构】 中国科学院半导体研究所材料科学中心；
【摘要】 氢显著影响单晶硅的电学性能和机械强度,晶态硅中氢行为的深入研究正日益受到人们的关注。本文采用氢气氛区熔工艺制备了两种含氢单晶硅:(1)多晶硅作原料在纯氢气区下拉制区熔单晶硅(标记为FZ(H)Si);(2)直拉单晶硅经一次氢气氛区熔工艺高温热处理,引入原子氢,形成氢退火的单晶硅(标记为CZ(H)-Si)。利用红外吸收光谱技术,对含氢单晶硅进行了中红外光谱分析,测量了Si-H键的红外振动吸收,发现了未曾报道过的与氢有关的新红外振动吸收峰。
- 【会议录名称】 2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2000年中国材料研讨会
- 【会议时间】2000
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国材料研究学会