(1102)面蓝宝石衬底上生长氮化镓研究

【作者】 陈振； 刘祥林； 王晓晖； 陆大成； 袁海荣； 韩培德； 汪度； 王占国；

【机构】 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室；

【摘要】 氮化镓是制作高亮度蓝绿光LED、LD的半导体材料。器件制作一般在（0001）面蓝宝石上外延（0001）面的Ⅲ族氮化物。我们采用MOCVD方法在（1102）面蓝宝石上生长了（1120）面氮化镓,所生长的氮化镓表面平整透明,XRD双晶回摆曲线衍射峰的半高宽为35.8arcmin。P型氮化镓的电阻率达5Ω·cm,空穴浓度为1×10¹⁷/cm³,基本上达到了器件水平。理论分析和实验结果表明:（1120）面的Ⅲ族氮化物器件可能具有更大的优越性。更多还原