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Pb(Zr0.53Ti（0.47）)O3/GaN结构的制备和电学性质研究
【作者】 毕朝霞； 张荣； 李卫平； 殷江； 沈波； 周玉刚； 陈鹏； 陈志忠； 顾书林； 施毅； 刘治国； 郑有炓；
【机构】 南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室；
【摘要】 以铁电体Pb(Zr0.53Ti0.47)O3（PZT）取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-绝缘层-半导体（MIS）结构。由于铁电体具有较强的极化电场和高的介电常数,GaN基金属-铁电-半导体（MFS）结构的C-V特性和其他GaN基MIS结构相比较得到了显著的提高。GaN MFS结构中GaN激活层达到反型时的偏压小于5V,这和硅基电子器件和集成电路的工作电压相符合。而且GaN层的表面载流子浓度比背景载流子浓度下降了一个量级,因此GaN基MFS结构对于GaN基场效应晶体管（FETs）的实际应用具有重要的意义。
【基金】 国家自然科学基金资助课题(69976014,69636010,69806006,69987001);863高技术研究计划(863-307-12-3(05),863-715-001-0220,863-715-011-0031)。
- 【会议录名称】 2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2000年中国材料研讨会
- 【会议时间】2000
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国材料研究学会