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掺硼对纳米硅薄膜的光带隙的影响
【机构】 北京航空航天大学理学院；
【摘要】 利用PECVD方法,以高氢稀释的硅烷（SiH4）为反应气体,通过加入硼烷（B2H6）制备了掺硼纳米硅薄膜。用PC UV-VIS-NIR分光光度计测量了薄膜样品的透射谱,并用两种方法计算了薄膜样品的光带隙。研究了多种成膜因素对光带隙Eopt的影响,其中掺杂浓度、衬底温度以及稀释比对其影响最大。光带隙随三者的增大而变窄,说明纳米硅薄膜中除了量子尺寸效应会引起光电特性的变化外,薄膜结构无序度的增加是掺硼纳米硅薄膜光带隙降低的主要原因。
- 【会议录名称】 2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2000年中国材料研讨会
- 【会议时间】2000
- 【分类号】O484
- 【主办单位】中国材料研究学会