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原位气相沉积制备MoSi2涂层的研究

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【作者】 孙锡军； 刘福顺； 徐惠彬； 周春根；

【机构】 北京航空航天大学材料科学与工程系；

【摘要】 本论文着重研究了在钼基体上用包埋渗法制奋MoSi2涂层的工艺。通过不断的实验和尝试,已成功地在钼基体上制备出了相当厚度的MoSi2涂层。涂层的厚度与温度成正比关系,温度升高,厚度也随之增加。

【关键词】 原位气相沉积； 包埋渗； MoSi2涂层；
  • 【会议录名称】 2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集
  • 【会议名称】2000年中国材料研讨会
  • 【会议时间】2000
  • 【分类号】TG174.4
  • 【主办单位】中国材料研究学会
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