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ITO薄膜组织结构与光电性能的关系研究
【机构】 清华大学机械工程系；
【摘要】 用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备出ITO透明导电薄膜,对不同温度（150～350℃）条件下制备薄膜的组织结构、成分和光电特性进行了研究。从X射线光电子能谱（XPS）和X射线衍射谱（XRD）结果提出了新的观点:低温条件下制备的薄膜除具有三氧化二铟的立方铁锰矿结构还存在四氧化三锡晶体,这是低温条件下制备的ITO薄膜光电性能差的主要原因。随着衬底温度的提高,ITO薄膜中四氧化三锡晶体消失、氧缺位及作为施主的Sn+4的密度不断增加,使得薄膜的导电性及光学性能得以提高。
- 【会议录名称】 2000年材料科学与工程新进展（上）——2000年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2000年中国材料研讨会
- 【会议时间】2000
- 【分类号】O484
- 【主办单位】中国材料研究学会