节点文献
电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜工艺参数的研究
【机构】 太原理工大学表面工程研究所； 上海交通大学微电子研究所； 西安交通大学材料科学与工程学院；
【摘要】 本文研究了应用电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜过程中N2流量、阴极偏压和基体温度等工艺参数与合成AlN薄膜成分和结构的关系。结果表明,随N2含量的增加,合成的AlN薄膜的纯度增加,当N2流量达到30×10-3L/min时,可合成高质量的AlN薄膜;阴极偏压对AlN薄膜的成分影响较大;基体温度由基体到弧靶间距决定,它和基体材料及其表面状态以及弧流等也是影响电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜的重要因素。
【基金】 山西省青年基金,No.981026。
- 【会议录名称】 2000年材料科学与工程新进展（上）——2000年中国材料研讨会论文集
- 【会议名称】2000年中国材料研讨会
- 【会议时间】2000
- 【分类号】TB43
- 【主办单位】中国材料研究学会