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SIMOX材料制作及其结构、电特性与杂质分析
【作者】 罗晏； 梁宏； 马芙蓉； 李晓明； 陈如意； 夏稷； 卢志恒； 李映雪； 张兴； 王阳元；
【机构】 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室； 北京大学微电子所；
【摘要】 用扩展电阻、二次离子质谱和光致发光等方法,测量了SIMOX样品的结构、电特性和杂质分布。研究了注氧和退人过程中对顶层硅层的沾污情况,说明了SIMOX材料顶部硅层的缺陷和残余氧等杂质的施主作用。要制作适合器件需要的SOI材料,必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤。
【关键词】 SIMOX(SOI)；
扩展电阻法；
二次离子质谱分析；
光致发光谱；
顶部硅层；
- 【会议录名称】 中国电子学会第七届学术年会论文集
- 【会议名称】中国电子学会第七届学术年会
- 【会议时间】2001-07
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国电子学会