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纳米电子学的物理基础

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【作者】 王占和林鸿溢

【机构】 北京理工大学电于工程系

【摘要】 本文用经典物理与介观物理的方法,阐明了纳米电子学的主要概念与物理基础,讨论了纳米电子学中的长度概念、电导涨落、库仑阻塞及单电子现象。分析了纳米电子器件的输运机制,并对国内外与纳米电子学相关的单电子器件研究进展作了综述。

  • 【会议录名称】 第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集
  • 【会议名称】第一届全国纳米技术与应用学术会议
  • 【会议时间】2000-11
  • 【会议地点】中国厦门
  • 【分类号】TB383
  • 【主办单位】中国电子学会
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