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化学气相沉积法无催化制备定向生长硅纳米棒

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【作者】 刘祖琴唐东升邹小平李玉宝周维亚王刚解思深

【机构】 中国科学院物理研究所

【摘要】 利用化学气相沉积法在经过稀释HF处理的SiO2/Si片上,制备出定向生长的硅纳米棒。利用场发射扫描电子显微镜和高分辨透射电镜对样品的表面形貌和结构进行观测。结果表明:在衬底生长出直径为300nm、长度达几个微米的定向生长的硅纳米棒;这些纳米棒为多晶态。讨论了无催化生长定向硅纳米棒的生长机理。

  • 【会议录名称】 第一届全国纳米技术与应用学术会议论文集
  • 【会议名称】第一届全国纳米技术与应用学术会议
  • 【会议时间】2000-11
  • 【会议地点】中国厦门
  • 【分类号】TB383
  • 【主办单位】中国电子学会
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