肖特基结MOSFET的发展现状

【作者】 王燕； 田立林；

【机构】 清华大学微电子学研究所；

【摘要】 <正> 过去三十年来,集成电路迅猛发展的基础来自构成电路的功能元件MOSFET的尺寸不断缩小,通过减小特征尺寸(通常为MOSFET栅长),使得每个芯片上的电路元件增加,目前已可以制备出性能非常优越的小尺寸(栅长0.1μm)的MOSFET。然而,按比例缩小的方法存在着物理极限,这既有材料特性的因素,也与MOSFET的基本工作原理有关。随着尺寸的减小,器件的各边缘彼此靠近,将出现短沟道效应和窄沟道效应。不考虑制作上的难度,由于这些效应的影响,预计常规MOSFET的有效沟道长度将大于～70nm。为克服短沟效应,通常可以采用高掺杂衬底,沟道掺杂和减薄栅氧化层厚度等方法以减小漏源结深和耗尽区向栅下的延伸。例如,采用固态扩散的方法制备成超短结深、栅更多还原