第一性原理研究Si_nB(n=1～12)团簇的稳定性

【作者】 张俊； 赵高峰； 井群； 刘霞； 罗有华；

【机构】 河南大学物理与电子学院理论物理研究所；

【摘要】 基于密度泛函理论（DFT）,我们研究了 Si_nB（n=1～12）团簇的稳定性,结果表明：Si_nB 的基态构型是在 Si_n-1B 的基态或亚稳态构型上带帽一个 Si 原子而得到；随着团簇尺寸的增大,B 原子逐渐从吸附在 Si_n 团簇的表面位置移动到 Si_n 团簇笼内；掺杂 B 原子提高了纯硅团簇的稳定性；电子总是从 Si 向 B 转移,B 原子所带的电荷数不仅与 B 原子的配位数有关,还与 Si_nB 团簇的基态结构密切相关。更多还原