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Bi系超导体氧行为的内耗研究
【机构】 中国科学院上海冶金研究所；
【摘要】 <正>迄今发现的高 Tc 超导体都是一些含有氧缺陷的氧化物,其结构和性能与含量密切相关。然而在这些超导体中,氧离子或氧缺陷存在着多种占位状态,为了深入理解超导机制,弄清哪些氧离子直接影响超导电性则是人们极为关注的问题。由于内耗对缺陷极为敏感,本文利用低频内耗测试,并辅以霍耳和电阻率测试,以期给出铋系超导体中氧缺陷的状态和运动过程。所有实验试样均为单相,由固相反应法制取,其组成分别为：
- 【会议录名称】 内耗与超声衰减——第四次全国固体内耗与超声衰减学术会议论文集
- 【会议名称】第四次全国固体内耗与超声衰减学术会议
- 【会议时间】1994-11
- 【会议地点】中国广东广州
- 【分类号】O511.4
- 【主办单位】中国物理学会内耗与超声衰减专业委员会、中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放研究实验室、中山大学物理系