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氧化锌压电薄膜界面特性的研究

The study on interface character of ZnO piezoelectric thin films

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【作者】 谢和平曾伦邓惠中邓克强陈建益杨成韬

【Author】 XIE He-ping~1 ZENG Lun~1 DENG Hui-zhong~1 DENG Ke-qiang~1 CHEN Jian-yi~1 YANG Cheng-tao~2 (1 Southwest Institute of technical physics,Chengdu,Sichua 610041) (2 University of electrical science and technology,Chengdu,Sichuan,610054)

【机构】 西南技术物理研究所电子科技大学

【摘要】 ZnO 薄膜具有的优良的压电性能,已经被广泛的应用于制作声表面波器件,利用射频磁控溅射的方法在 si/SiO2/Pt 上制备了 ZnO 薄膜,通过高分辨电子正微技术对薄膜的界面特性进行了分析,并对 ZnO 薄膜中的各种取向进行了标定,研究表明,ZnO 与下电极 Pt 晶格匹配非常好,完全没有错排,呈共格生长,ZnO 薄膜是沿 c 轴方向的择优生长。

【Abstract】 ZnO thin film is widely used in surface acoustic wave(SAW)device,because of its piezoelectric properties.ZnO thin films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates using RF magnetron sputtering and the structure,lattice defect,interface character were studied by High-resolution Transmission Electron Microscope.The analysis shown that ZnO thin films coherent growth with Pt films,and the lattice fitting was very well.

  • 【会议录名称】 2007’促进西部发展声学学术交流会论文集
  • 【会议名称】2007’促进西部发展声学学术交流会
  • 【会议时间】2007-09
  • 【会议地点】中国湖南张家界
  • 【分类号】O484.4
  • 【主办单位】四川省声学学会、陕西省声学学会、中国声学学会超声电子学专委会
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