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氧化锌压电薄膜界面特性的研究
The study on interface character of ZnO piezoelectric thin films
【作者】 谢和平； 曾伦； 邓惠中； 邓克强； 陈建益； 杨成韬；
【Author】 XIE He-ping~1 ZENG Lun~1 DENG Hui-zhong~1 DENG Ke-qiang~1 CHEN Jian-yi~1 YANG Cheng-tao~2 (1 Southwest Institute of technical physics,Chengdu,Sichua 610041) (2 University of electrical science and technology,Chengdu,Sichuan,610054)
【摘要】 ZnO 薄膜具有的优良的压电性能,已经被广泛的应用于制作声表面波器件,利用射频磁控溅射的方法在 si/SiO2/Pt 上制备了 ZnO 薄膜,通过高分辨电子正微技术对薄膜的界面特性进行了分析,并对 ZnO 薄膜中的各种取向进行了标定,研究表明,ZnO 与下电极 Pt 晶格匹配非常好,完全没有错排,呈共格生长,ZnO 薄膜是沿 c 轴方向的择优生长。
【Abstract】 ZnO thin film is widely used in surface acoustic wave（SAW）device,because of its piezoelectric properties.ZnO thin films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates using RF magnetron sputtering and the structure,lattice defect,interface character were studied by High-resolution Transmission Electron Microscope.The analysis shown that ZnO thin films coherent growth with Pt films,and the lattice fitting was very well.
【Key words】 ZnO thin films； Interface character； film structure； HRTEM；
- 【会议录名称】 2007’促进西部发展声学学术交流会论文集
- 【会议名称】2007’促进西部发展声学学术交流会
- 【会议时间】2007-09
- 【会议地点】中国湖南张家界
- 【分类号】O484.4
- 【主办单位】四川省声学学会、陕西省声学学会、中国声学学会超声电子学专委会