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黑色LiNbO3和LiTaO3晶片SAW器件研究
Fabrication and performance of SAW devices on LN and LT black wafers
【作者】 夏宗仁； 贝伟斌； 崔坤； 秦晓勇； 吴剑波； 朱怀烈；
【Author】 Xia ZongRen Bei weibin Cui Kun Qin Xiaoyong Wu Jiangbo Zhu Huailie (Deqing Huaying Electronic Co.,Ltd,CETC,Deqing 313216,Zhejiang,China)
【机构】 中电科技德清华莹电子有限公司；
【摘要】 采用化学还原工艺成功地制备了 LN 和 LT 黑色晶片.在这些黑色晶片上制作了中心频率分别为36MHz 和 446MHz 的 SAW 器件.研究表明,黑片工艺显著降低了晶片表面的静电,增加了近紫外光吸收,而其他性能不受任何影响,使 SAW 器件的终测合格率提高了5-10%。
【Abstract】 Free-pyro black LiNbO3 and LiTaO3 wafers were prepared successfully by chemical reduction.Surface acoustic wave（SAW）devices were fabricated on these black wafers. Performance of SAW devices showed that pyroelectfic charges were reduced due to the higher conductivity of black wafers and near-ultraviolet light absorption was increased. Therefore,the final test yield of SAW devices was increased 5-10%.
- 【会议录名称】 2006’和谐开发中国西部声学学术交流会论文集
- 【会议名称】2006’和谐开发中国西部声学学术交流会
- 【会议时间】2006-08
- 【会议地点】中国四川都江堰
- 【分类号】TB34
- 【主办单位】四川省声学学会、陕西省声学学会、中国声学学会超声电子学专委会、中国声学学会物理声学专委会