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化学机械抛光(CMP)技术在存储器硬盘抛光中的应用
【作者】 雷红； 雒建斌； 潘国顺； 屠锡富； 方亮； 司马能；
【机构】 清华大学摩擦学国家重点实验室； 深圳开发磁记录有限公司；
【摘要】 随着计算机磁头与磁盘间间隙的不断减小,硬盘表面要求超光滑。化学机械抛光是目前广泛接受的全局平面化技术。本文研究了镍磷敷镀的硬盘基片在胶体SiO2抛光组合物中的抛光试验,Chapman MP2000+表面形貌仪测得表面平均粗糙度(Ra)和波纹度(Wa)分别为0．55A及0．90A为迄今报道的硬盘抛光的最低值。原子力显微镜(AFM)发现获得的基片表面非常光滑平整,表面近无划痕、凹坑、点蚀等表面缺陷。
【关键词】 化学机械抛光(CMP)；
硬盘基片；
胶体SiO2；
抛光液；
- 【会议录名称】 第七届全国摩擦学大会论文集（二）
- 【会议名称】第七届全国摩擦学大会
- 【会议时间】2002-08
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】TP333
- 【主办单位】中国机械工程学会摩擦学分会