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多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟

Monte Carlo simulation of a multi-tunnel-junction single-electron dynamic memory

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【Author】 XU Hai-xia LI Qian-guang YANG Yi MIN Yong-quan LI Zhi-yang~* LIU Wu (Laboratory of Nanotechnology,Central China Normal University,Wuhan Hubei 430079,China)

【机构】华中师范大学纳米技术实验室；

【摘要】本文采用 Monte Carlo 方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响,并与宏观 RC 电路进行了比较。更多还原

【Abstract】 The paper simulated the behavior of a multiple-tunnel-junction single-electron dynamic memory by means of Monte Carlo method. The storage time and total charging charge of the device under the influence of such parameters as the number,capacitance and resistance of tunnel junction and the magnitude of voltage pulse have been investigated separately and compared with that of a elassic RC circuit.更多还原

【关键词】单电子存储器； Monte Carlo 模拟；
【Key words】 single-electron memory device； Monte Carlo simulation；

【基金】高等学校骨干教师资助计划;湖北省自然科学基金．

【会议录名称】全国第七届扫描隧道显微学学术会议（STM’7）论文集（二）

【会议名称】全国第七届扫描隧道显微学学术会议（STM’7）

【会议时间】2002-11
【会议地点】中国上海
【分类号】TP333

【主办单位】中国科学院上海原子核研究所、上海交通大学

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