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利用AFM电场诱导GaAs表面的局域氧化制备纳米结构

Localized oxidation of GaAs using conductive atomic force microscope

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【作者】 陈海峰李春增何会新刘忠范

【Author】 CHEN Hai-feng LI Chun-zeng HE Hui-xin LIU Zhong-fan (Center for Intelligent Materials Research(CIMR),College of Chemistry and Molecular Engineering,Peking University,Beijing 1000871,China.)

【机构】 北京大学化学与分子工程学院智能材料研究中心

【摘要】 基于 AFM 电场诱导的方法成功地在硅掺杂 n~+型 GaAs(100)和锌掺杂 p 型 GaAs(100)表面局域氧化制备了纳米尺度的点、线、图形,最小的纳米结构约15nm,并定性地考察了 GaAs 表面 AFM 电场诱导制备纳米结构的一些规律。

【Abstract】 Nanometer-sized dots,lines and pattern have been successfully created onto Si-doped n~+ GaAs(100) and Zn-doped p GaAs(100)based on electric field induced local oxidation.The smallest dot is ca.15nm.The rules of nanooxidation on GaAs are also investigated.

【关键词】 AFM纳米结构氧化GaAs
【Key words】 AFMnanostructureoxidationGaAs
【基金】 国家攀登计划 B;国家自然科学基金
  • 【会议录名称】 第五届全国STM学术会议论文集
  • 【会议名称】第五届全国STM学术会议
  • 【会议时间】1998-05
  • 【会议地点】中国安徽合肥
  • 【分类号】TB383.1
  • 【主办单位】中国电子显微镜学会
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