【作者】 陈海峰； 李春增； 何会新； 刘忠范；

【Author】 CHEN Hai-feng LI Chun-zeng HE Hui-xin LIU Zhong-fan (Center for Intelligent Materials Research(CIMR),College of Chemistry and Molecular Engineering,Peking University,Beijing 1000871,China.)

【机构】 北京大学化学与分子工程学院智能材料研究中心；

【摘要】 基于 AFM 电场诱导的方法成功地在硅掺杂 n~+型 GaAs(100)和锌掺杂 p 型 GaAs(100)表面局域氧化制备了纳米尺度的点、线、图形,最小的纳米结构约15nm,并定性地考察了 GaAs 表面 AFM 电场诱导制备纳米结构的一些规律。更多还原

【Abstract】 Nanometer-sized dots,lines and pattern have been successfully created onto Si-doped n~+ GaAs(100) and Zn-doped p GaAs(100)based on electric field induced local oxidation.The smallest dot is ca.15nm.The rules of nanooxidation on GaAs are also investigated.更多还原