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光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究
【机构】 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,李政道综合物理实验室；
【摘要】 <正>对宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结、量子阱和超晶格材料的研究是人们感兴趣的课题。由于 ZnSe/GaAs 异质结导带偏移较小,目前对其能带排列的研究存在不同的结果。本文采用的样品 A 是用分子束外延技术将厚度为100nm 的 ZnSe 薄膜生长在 n 型浓度为2×1017cm-3的 GaAs 衬
- 【会议录名称】 1996年中国青年学者物理学讨论会——薄膜材料与物理论文集
- 【会议名称】1996年中国青年学者物理学讨论会
- 【会议时间】1996-06
- 【会议地点】中国安徽合肥
- 【分类号】O472
- 【主办单位】中国科学院、国家自然科学基金委员会