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高能(Mev)As~+离子注入硅{113}缺陷的HREM研究
【机构】 南京大学固体微结构物理国家重点实验室；
【摘要】 <正>{113}缺陷是在硅、锗等材料中发生于{113}面上的一种面缺陷,曾在以下硅(锗)材料中观测到：1)热退火后的高氧含量 C-型硅；2)离子注入的硅材料中；3)电子及离子辐照过的硅材料中。目前,对这类缺陷的 HREM 像研究分析后,有二种代表性的{113}缺陷组态：1)硅自间隙对分组态；2)六方硅结构第二相。
- 【会议录名称】 第八次全国电子显微学会议论文摘要集（Ⅱ）
- 【会议名称】第八次全国电子显微学会议
- 【会议时间】1994-10
- 【会议地点】中国陕西西安
- 【分类号】TG115.213
- 【主办单位】中国电子显微镜学会