绝缘衬底上再结晶硅膜的微结构研究

【作者】 刘安生； 邵贝羚； 李永洪； 张鹏飞； 钱佩信；

【机构】 北京有色金属研究总院； 清华大学微电子所；

【摘要】 <正>绝缘衬底上的硅膜 SOI(Silicon on Insulator)是近年发展起来的一种新型的超大规模集成电路用材料,它具有绝缘的衬底,可以消除闭锁效应；提高电路的抗辐照能力和电路的速度；增加集成度,然而,用于大规模集成电路的制作,要求硅膜层中无缺陷,内应力小、硅膜厚度均匀,绝缘层不漏电。采用有籽晶生长方法制备硅膜时,在外延生长的初期,硅膜是无缺陷的单晶,随着硅膜的生长,硅膜中出现缺陷,甚至晶体的取向发生很大的更多还原