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InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究
【机构】 中国科学院金属研究所固体原子象实验室； 中国科学院半导体研究所；
【摘要】 <正> InSb因具有高的迁移率,长的电子平均自由程及窄的带隙而受到重视。如能在与它有大错配度的GaAs衬底上外延生长出缺陷少的高质量薄膜,可望在光电器件上得到应用。在GaAs(001)面上长出同取向的InSb,其错配度高达14.6%,只能进行半共格生长。分子束外延法已能成功地制备出高质量的InSb膜,其中缺陷随膜厚增加而明显减少。图1a是半导体所用分子束外延法在GaAs衬底上长出的InSb膜沿〈110〉取向的复合电子衍射图。一对斑
- 【会议录名称】 第七次全国电子显微学会议论文摘要集
- 【会议名称】第七次全国电子显微学会议
- 【会议时间】1993-04
- 【会议地点】中国安徽黄山
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】中国电子显微镜学会