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SACP技术在红外器件研制工艺中的应用探讨
【机构】 昆明物理研究所；
【摘要】 <正> 各类半导体器件的性能几乎都与界面状态有关,研制高性能的红外探测元件首要的就是如何获得表面无污染、无损伤、结构完整的优质晶片。诚然,晶体结构的完整性取决於晶体生长,而晶片表面的污染,损伤则与晶片制作的各种工艺密切相关。本文介绍利用电子通道技术来检验半导体晶片表面的污染、损伤及结构完整性我们所进行的一些初步工作。对由同一晶锭上切割下的碲镉汞晶片任取10片分为两组进行了对比分析。结果表明在机械磨、拋
- 【会议录名称】 第六次全国电子显微学会议论文摘要集
- 【会议名称】第六次全国电子显微学会议
- 【会议时间】1990-10
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TN214
- 【主办单位】中国电子显微镜学会