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微电子器件金属化系统失效的电子显微分析

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【作者】 吉元徐学东张炜程尧海李学信

【机构】 北京工业大学显微分析中心北京工业大学半导体器可靠性物理研究室

【摘要】 <正> 随着微电子器件向着超高频,超高速和高集成度化方向发展,电徒动引起的器件金属化系统失效问题变得日益突出。所谓电徒动是指高电流密度作用下,金属导体中发生质量输运的现象。电徒动使器件的内部金属化系统条状铝薄膜上出现小丘。晶须(质量堆积)和空洞(质量耗尽)现象,造成短路和开路失效。本文叙述了AL-Cu金属化系统电徒动寿命的测试和电镜分析。从实验获得了在300C.氮气环境中,高电流密度(0.6×106和1.2×106A.cm-2作用下的Al-Cu薄膜电阻随时间的变化率,并计算了薄膜中值电徒动失效前的时间。用SEM和TEM观察和分析了钝化层覆盖效应,电流应力和晶粒结构等因素对

  • 【会议录名称】 第六次全国电子显微学会议论文摘要集
  • 【会议名称】第六次全国电子显微学会议
  • 【会议时间】1990-10
  • 【会议地点】中国北京
  • 【分类号】TG115.21
  • 【主办单位】中国电子显微镜学会
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