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砷化镓和直拉硅单晶中微沉淀物的EDS和EELS检测
【作者】 范缇文；
【机构】 中国科学院半导体研究所；
【摘要】 <正> (一)砷化镓单晶中微沉淀物的EDS检测在早期的工作中曾对Ga As:Te和Ga As:Si中微缺陷的结构性质及其与杂质浓度的关系作了TEM研究,结果表明在保持单晶砷化镓结构完整性上,Si是一种远优越于Te的掺杂剂。这不仅表现在Ga As:Si中引起缺陷出现的临界Si电子浓度要比Te高一个数量级,而且还表现在Ga As:Si中的缺陷密度低,尺寸小,分立
- 【会议录名称】 第四次全国电子显微学会议论文摘要集
- 【会议名称】第四次全国电子显微学会议
- 【会议时间】1986-08
- 【会议地点】中国内蒙古包头
- 【分类号】TN304;TN16
- 【主办单位】中国电子显微镜学会