CMOS LSI电路失效分析的XTEM技术

【作者】 盛旦初； 王建农； 王凤莲； 陆珉华； 都安彦； 褚一鸣；

【机构】 AT&T Bell Laboratories,N.J.,USA； 中国科学院半导体研究所； 中国科学院北京电子显微镜实验室； 北京钢铁学院金属物理系；

【摘要】 <正> 集成电路工艺的迅速发展在一个芯片上已可以制作10~5以上的元件,即LSI和VLSI大规模和超大规模。集成度的提高使元件的最小尺度降到一微米以下,而栅氧化层仅数十个nm。对这种电路的分析,常用的SEM就无能为力,必须求助于TEM的更高的分辨率。而XTEM技术是研究这种具有多层复杂结构的强有力的工具。本文作更多还原