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电子辐射对Si3N4结构的作用
【机构】 中国科学院上海硅酸盐所；
【摘要】 <正> 以前的研究表明,高能电子束只对α-Si3N4产生辐射损伤。而对β—Si3N4不产生辐射损伤。本研究表明,高能电子束对于β—Si3N4虽然不象对于α-Si3N4那样,产生较严重的辐射损伤,但也可以产生损伤。我们对这种结构损伤进行高分辨电子显微镜观察,并且在原子水平上进行了研究。研究结果指出,高能电子
- 【会议录名称】 第四次全国电子显微学会议论文摘要集
- 【会议名称】第四次全国电子显微学会议
- 【会议时间】1986-08
- 【会议地点】中国内蒙古包头
- 【分类号】O613.72
- 【主办单位】中国电子显微镜学会