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循环形变〔245〕铜晶体的位错结构
【作者】 金能韫；
【机构】 上海交通大学；
【摘要】 <正> 单滑移铜晶体的循环应力-应变响应可以由形变过程中逐步形成特征性的位错组态:由基位错组成的驻留滑移带的楼梯结构（或位错墙结构）和基体的脉纹结构,以及位错在这二种组态中的运动来解释。实验表明,拉伸轴方向为[245]的铜晶体的循环应力——应变响应与文献中报导的[123]方向的单滑移晶体比较,具有较低的初始硬化速率,较高的驻留滑移带成核应力和饱和应力。TEM观察揭示范性应变幅为3×10-3下循环饱和的[245]晶体的位错结构与[123]晶体不同;驻留滑移带是由位错胞组成的,基体的位错脉纹则短而多叉。在（111）切面上,胞间的位向差使各位错晶胞显示出不同的衍
- 【会议录名称】 第三次中国电子显微学会议论文摘要集（二）
- 【会议名称】第三次中国电子显微学会议
- 【会议时间】1983
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TG115.213
- 【主办单位】中国电子显微镜学会