扩散Nb₃Sn膜晶粒非均匀性与位错界面的电子显微观察

【作者】 蔡学榆； 马长林； 张金龙； 李传义； 尹道乐；

【机构】 北京大学固体物理研究所物理系；

【摘要】 <正> 用电子显微镜（JEM-200cx）对扩散Nb₃Sn超导薄膜的微结构进行了观察,结果表明薄膜内的Nb₃Sn晶粒呈现明显的非均匀性,同时观察到大量的几乎贯穿整个晶粒的叠栅图形（Moire’）。这一观察结果有助于Nb₃Sn超导材料的临界电流机理的研究,对于高磁场临界电流理论进行合理的修正。一、扩散Nb₃Sn膜的TEM样品观察结果与其高磁场载流特性。用脉冲场测量了扩散Nb₃Sn膜高场载流特性Jc～B曲线,并根据高场钉扎标度律作出高场标度行为如图1所示。用背面防护漂浮减薄法将相应的扩散膜制成TEM样品,通过大面积的电镜观察发现Nb₃Sn的晶粒很不均匀,在千埃量级的大晶粒晶界上存在百埃量级的微细晶粒,如图2所示,同时观察到大量的叠栅图形其中相当多的叠栅条纹几乎贯穿整个晶粒,如图3.图4.所示。更多还原